三星（中國）半導(dǎo)體有限公司12英寸閃存芯片 二期項目

三星（中國）半導(dǎo)體有限公司12英寸閃存芯片二期項目，位于陜西省西安市長安區(qū)西太路綜合保稅區(qū)內(nèi)，該工程占地面積為52826㎡ ，項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。

我公司承擔(dān)了GCS棟地下及屋面等部位防水工程。